Отзывы на 4шт Транзистор TGAN40N60F2DS TO-3PN Trinno Technology

4шт Транзистор TGAN40N60F2DS TO-3PN Trinno Technology

Рейтинг:

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность: 236W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20V

Максимальный постоянный ток коллектора: 80A 25℃

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2V 25℃

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5V

Максимальная температура перехода: 150℃

Время нарастания типовое: 17nS

Выходная емкость, типовая: 135pF

Общий заряд затвора, typ: 115nC

Тип корпуса: TO3PN

Спасибо Ваш отзыв будет опубликован после проверки модераторами.

Количество
4шт

Общий рейтинг 4.38
Рейтинг покупателей 4.82
Рейтинг экспертов 4.13
Качество материалов 4.87
Надежность 4.33
Простота в использовании 4.71
Ремонтопригодность 4.60
Эффективность выполнения своих функций 4.68
Коэффициент удивления "Вау!" 4.38
Безопасность для пользователя4.23
Внешний вид 4.01
Удобство в уходе и чистке 4.76
Экологическая безопасность 4.17
Гарантия на товар 4.77
Соответствие стандартам качества 4.31
Инновационные технологии 4.78
Хит продаж 4.38
Скорость морального устаревания 4.86
Энергоэффективность 4.61
Универсальность использования 4.81
Наличие дополнительных функций 4.77
Соотношение цена-качество 4.17
Практичность и удобство хранения 4.83
Стабильность работы в различных условиях 4.72
Возможность персонализации 4.01
Ликвидность 4.63
Индекс рекомендаций 4.77

2070 покупателей и эксперты портала 1ya.ru рекомендуют к покупке товар «4шт Транзистор TGAN40N60F2DS TO-3PN Trinno Technology».

Отзывы на "4шт Транзистор TGAN40N60F2DS TO-3PN Trinno Technology"