Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 МБ/с Объем 1 модуль 2 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 5 RAS to CAS Delay (tRCD) 5 Row Precharge Delay (tRP) 5 Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.8 В