LR2905Z транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог HUF76429D3S схема PHD44N06LT характеристики цоколевка datasheet микросхема LR2905

В комплекте 5 штук новых транзисторов

SI-2306 A6SHB транзистор (5 шт.) корпус SOT23 SMD схема AO3406 характеристики AM2306N цоколевка datasheet AP2302AGN

SI2306DS Транзистор полевой

Маркировка A6SHB

Структура N-канал

Напряжение Сток-Исток 30В

Максимальный ток Стока (25°С, Vgs=10V) 3.5A

Максимальный ток Стока (70°С, Vgs=4.5V) 2.8A

Мощность рассеивания 1.25Вт

Сопротивление откр. канала (Vgs=10В; Id=3.5A) 0.046Ом

Диапазон рабочих температур -55.+150°C

Корпус SOT23-3

Возможные варианты исполнения, замены и маркировки электронных компонентов:

SI2306A, Транзистор N-MOSFET 30В 3.5А [SOT-23-3] SI2306BDS-T1BE3

SI2306-ES, 30V 4.3A 1.4W 34m@10V,3.6A 1.6V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

SI2306, 30V 3.5A 1.25W 57m-@10V,3.5A 3V@250uA N Channel SOT-23-3 MOSFETs SI2306BDS-T1-GE3

SI2306-TP, 30V 3.16A 65m@2.5A,4.5V 750mW 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

SI2306BDS-T1-BE3, MOSFETs SOT23 N CHAN 30V Si2306DS

SI2306BDS-T1-GE3, MOSFETs 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

SI2306BDS-T1-E3, 30V 4A 0.047@10V,3.5A 1.25W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS

SI2306K-TP, MOSFETs N-CHANNEL MOSFET, SOT-23

SI2306BDS-T1-GE3-VB, 30V 6.5A 1.7W 30m@10V,3.2A 1.1V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Si2306BDS-T1-GE3-HXY, 30V 4A 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

SI2306BDS, 30V 3A 900mW 75m@10V,3A 1.5V@250uA SOT-23 MOSFETs ROHS

Состав комплекта
5 транзисторов в упаковке

В комплекте 5 штук новых транзисторов

S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet

Характеристики транзистора S8050
Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В
Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 0.5 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300
Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц

ADRIVER

Классификация по hFE

Транзисторы серии S8050 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор S8050B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 85 до 160, S8050C - в диапазоне от 120 до 200, S8050D - в диапазоне от 160 до 300.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для S8050 является транзистор S8550 c p-n-p структурой.

замены

Транзистор S8050 можно заменить на 2N5830, 2SC1008, 2SC1009, 2SD471A, BC537, BC538, KSC1008, KSC1009, KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPSA42, MPSA43, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, S9013, SS8050, ZTX457, С8050, ВС537, ВС538

Состав комплекта
5 транзисторов в упаковке

Комплектация
Комплект из 5 штук транзисторов

Транзистор IRFR9024N от International Rectifier - это высококачественный радиоэлектронный компонент, который обеспечивает стабильное и эффективное функционирование электронных схем.

Транзистор IRFR9024N обладает высокой проводимостью и низким сопротивлением, что позволяет ему обеспечивать быстрое переключение и высокую мощность. Это делает его незаменимым элементом в различных электронных устройствах, таких как усилители, источники питания и системы управления.

International Rectifier - известный производитель радиодеталей и электронных компонентов, который зарекомендовал себя на рынке благодаря высокому качеству своей продукции. Выбирая IRFR9024N, вы можете быть уверены в надежности и долговечности данного компонента.

В упаковке содержится одна штука транзистора IRFR9024N.

В целом, транзистор IRFR9024N от International Rectifier - это надежный и эффективный выбор для тех, кто ищет качественные радиоэлектронные компоненты для своих электронных устройств.

Транзистор E13005-2: мощный и надежный выбор

Транзистор E13005-2 представляет собой мощный и надежный компонент для радиодеталей и электронных компонентов. Он обладает следующими характеристиками:
- Тип транзистора: NPN
- Максимальное напряжение: 400В
- Максимальный ток: 4А
- Максимальная мощность: 75Вт
- Тип корпуса: TO-220

Благодаря своим характеристикам, транзистор E13005-2 обеспечивает высокую эффективность и надежность работы в различных электронных устройствах.

В упаковке содержится 2 шт. транзистора E13005-2, что позволяет выбрать необходимое количество компонентов для вашего проекта.

Выбирая транзистор E13005-2, вы получаете надежный и мощный компонент для своих радиодеталей и электронных устройств.

Транзистор E13009-2: мощный и надежный выбор

Транзистор E13009-2 представляет собой мощный и надежный компонент для радиодеталей и электронных компонентов. Он обладает следующими характеристиками:
- Тип транзистора: NPN
- Максимальное напряжение: 400В
- Максимальный ток: 12А
- Максимальная мощность: 100Вт
- Тип корпуса: TO-220

Благодаря своим характеристикам, транзистор E13009-2 обеспечивает высокую эффективность и надежность работы в различных электронных устройствах.

В упаковке содержится 2 шт. транзистора E13009-2, что позволяет выбрать необходимое количество компонентов для вашего проекта.

Выбирая транзистор E13009-2, вы получаете надежный и мощный компонент для своих радиодеталей и электронных устройств.

Транзистор E13007-2: мощный и надежный выбор

Транзистор E13007-2 представляет собой мощный и надежный компонент для радиодеталей и электронных компонентов. Он обладает следующими характеристиками:
- Тип транзистора: NPN
- Максимальное напряжение: 400В
- Максимальный ток: 8А
- Максимальная мощность: 80Вт
- Тип корпуса: TO-220

Благодаря своим характеристикам, транзистор E13007-2 обеспечивает высокую эффективность и надежность работы в различных электронных устройствах.

В упаковке содержится 2 шт. транзистора E13007-2, что позволяет выбрать необходимое количество компонентов для вашего проекта.

Выбирая транзистор E13007-2, вы получаете надежный и мощный компонент для своих радиодеталей и электронных устройств.

Транзистор E13009-2: мощный и надежный выбор

Транзистор E13009-2 представляет собой мощный и надежный компонент для радиодеталей и электронных компонентов. Он обладает следующими характеристиками:
- Тип транзистора: NPN
- Максимальное напряжение: 400В
- Максимальный ток: 12А
- Максимальная мощность: 100Вт
- Тип корпуса: TO-220

Благодаря своим характеристикам, транзистор E13009-2 обеспечивает высокую эффективность и надежность работы в различных электронных устройствах.

В упаковке содержится 1 шт. транзистора E13009-2, что позволяет выбрать необходимое количество компонентов для вашего проекта.

Выбирая транзистор E13009-2, вы получаете надежный и мощный компонент для своих радиодеталей и электронных устройств.

Транзистор E13005-2: мощный и надежный выбор

Транзистор E13005-2 представляет собой мощный и надежный компонент для радиодеталей и электронных компонентов. Он обладает следующими характеристиками:
- Тип транзистора: NPN
- Максимальное напряжение: 400В
- Максимальный ток: 4А
- Максимальная мощность: 75Вт
- Тип корпуса: TO-220

Благодаря своим характеристикам, транзистор E13005-2 обеспечивает высокую эффективность и надежность работы в различных электронных устройствах.

В упаковке содержится 1 шт. транзистора E13005-2, что позволяет выбрать необходимое количество компонентов для вашего проекта.

Выбирая транзистор E13005-2, вы получаете надежный и мощный компонент для своих радиодеталей и электронных устройств.

Транзистор E13007-2: мощный и надежный выбор

Транзистор E13007-2 представляет собой мощный и надежный компонент для радиодеталей и электронных компонентов. Он обладает следующими характеристиками:
- Тип транзистора: NPN
- Максимальное напряжение: 400В
- Максимальный ток: 8А
- Максимальная мощность: 80Вт
- Тип корпуса: TO-220

Благодаря своим характеристикам, транзистор E13007-2 обеспечивает высокую эффективность и надежность работы в различных электронных устройствах.

В упаковке содержится 1 шт. транзистора E13007-2, что позволяет выбрать необходимое количество компонентов для вашего проекта.

Выбирая транзистор E13007-2, вы получаете надежный и мощный компонент для своих радиодеталей и электронных устройств.

Полевой транзистор IRFR320PBF от известного производителя VISHAY представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Устройство выделяется током стока в 3,1 А и напряжением сток-исток, достигающим 400 В, что обеспечивает его универсальность в использовании. Мощность транзистора составляет 42 Вт, а благодаря корпусу TO252AA он обеспечивает надежность и долговечность в работе. Этот транзистор отлично подойдет для широкого спектра электронных применений, требующих эффективного управления мощностью. Приобретая IRFR320PBF, вы получаете надежный компонент, способный справиться с высокими нагрузками.
Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 2А, 42Вт, DPAK.