В комплекте 5 штук новых транзисторов
SI-2306 A6SHB транзистор (5 шт.) корпус SOT23 SMD схема AO3406 характеристики AM2306N цоколевка datasheet AP2302AGN
SI2306DS Транзистор полевой
Маркировка A6SHB
Структура N-канал
Напряжение Сток-Исток 30В
Максимальный ток Стока (25°С, Vgs=10V) 3.5A
Максимальный ток Стока (70°С, Vgs=4.5V) 2.8A
Мощность рассеивания 1.25Вт
Сопротивление откр. канала (Vgs=10В; Id=3.5A) 0.046Ом
Диапазон рабочих температур -55.+150°C
Корпус SOT23-3
Возможные варианты исполнения, замены и маркировки электронных компонентов:
SI2306A, Транзистор N-MOSFET 30В 3.5А [SOT-23-3] SI2306BDS-T1BE3
SI2306-ES, 30V 4.3A 1.4W 34m@10V,3.6A 1.6V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
SI2306, 30V 3.5A 1.25W 57m-@10V,3.5A 3V@250uA N Channel SOT-23-3 MOSFETs SI2306BDS-T1-GE3
SI2306-TP, 30V 3.16A 65m@2.5A,4.5V 750mW 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
SI2306BDS-T1-BE3, MOSFETs SOT23 N CHAN 30V Si2306DS
SI2306BDS-T1-GE3, MOSFETs 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V
SI2306BDS-T1-E3, 30V 4A 0.047@10V,3.5A 1.25W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS
SI2306K-TP, MOSFETs N-CHANNEL MOSFET, SOT-23
SI2306BDS-T1-GE3-VB, 30V 6.5A 1.7W 30m@10V,3.2A 1.1V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Si2306BDS-T1-GE3-HXY, 30V 4A 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
SI2306BDS, 30V 3A 900mW 75m@10V,3A 1.5V@250uA SOT-23 MOSFETs ROHS
Состав комплекта
5 транзисторов в упаковке