Набор транзисторов 200шт, 10 видов ТО-92 по 20 шт: BC337 BC327 2N2222 2N2907 2N3904 2N3906 S8050 S8550 A1015 C1815 (У)

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220SIS, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 500В 10А 45Вт

Технические параметры

Вес, г
2.63

Транзисторы 2П302Б (внешний вид может отличаться от представленного на фото) - это кремниевые планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, используемые для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах и других схемах аппаратуры специального назначения. Транзисторы 2П302Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами и маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,5 г, а климатическое исполнение - «УХЛ». Технические характеристики транзистора 2П302Б включают в себя рассеиваемую мощность сток-исток не более 300 мВт, максимальное напряжение сток-исток не более 20 В, максимальное напряжение затвор-исток не более 10 В, ток стока (постоянный) 43 мА, начальный ток стока 18.43 мА, остаточный ток стока 6 мА, крутизну характеристики не менее 7 мА/В, входную емкость транзистора не более 20 пФ и емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току не более 8 пФ. Транзисторы 2П302Б имеют зарубежный аналог: 2N5397, SMP6453, TMPF6453, TP6453.

Транзистор ГТ311Ж - это германиевый диффузионно-сплавной транзистор с n-p-n структурой, который предназначен для усиления высокочастотных сигналов. Он имеет высокую граничную частоту коэффициента передачи тока (300 МГц) и низкую ёмкость коллекторного перехода (2.5 пФ), что обеспечивает высокую скорость переключения и малые потери на переходах. Транзистор ГТ311Ж имеет малый обратный ток коллектора (5 мкА) и низкое сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером (20 Ом), что уменьшает влияние шумов и паразитных сопротивлений на качество сигнала. Транзистор ГТ311Ж выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами, что облегчает его монтаж и защиту от внешних воздействий. Транзистор ГТ311Ж может работать при температуре от -40 до +55 °С и рассеивать мощность до 150 мВт при 20 °С. Транзистор ГТ311Ж - это высокопроизводительный и эффективный компонент для создания высокочастотных усилительных схем.

Транзистор оригинальный. Заводское качество. Фото не из Интернета.

Сборка 2-х транзисторов N-канала

Напряжение: 20V;

Ток: 6А;

Мощность: 1W

Транзистор оригинальный. Фото не Интернета. Архитектура: Транзистор NPN IGBT Номер партии может отличаться от указанного на фото. Зависит от поставки. Но это никак не влияет на качество товара. Краткие характеристики: 60V 60A@25℃ 150W Rds=8mΩ Vgs=0.8-2V 5400pF особенности:

Транзисторы КТ827Б кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Основные технические характеристики транзистора КТ827Б: Структура транзистора: n-p-n; Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с / теплоотводом: 125 Вт; Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм); Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А; Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В); Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750. 18000; Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ; Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом.

Транзистор IRF640N от International Rectifier - это высококачественный радиоэлектронный компонент, который обеспечивает стабильную работу электронных устройств.

International Rectifier - это известный производитель радиодеталей и электронных компонентов, который зарекомендовал себя на рынке благодаря высокому качеству своей продукции.

Транзистор IRF640N обладает высокой пропускной способностью, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах, требующих высокой мощности.

В упаковке содержится одна штука транзистора IRF640N, что делает его удобным для использования в небольших проектах или для добавления в уже существующие устройства.

Выбирая транзистор IRF640N от International Rectifier, вы получаете надежный и качественный компонент, который обеспечит стабильную работу вашего электронного устройства.

Биполярный транзистор, характеристики PNP darlington 100В/10А/125Вт

SPA11N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 11А [TO-220FP]

Транзистор IRF640N от International Rectifier - это высококачественный радиоэлектронный компонент, который обеспечивает стабильное и эффективное функционирование электронных устройств.

International Rectifier - это известный производитель радиодеталей и электронных компонентов, который зарекомендовал себя на рынке благодаря высокому качеству своей продукции.

Транзистор IRF640N обладает высокой проводимостью, что позволяет ему обеспечивать стабильное и быстрое переключение между состояниями. Это делает его незаменимым элементом в различных электронных устройствах, где требуется быстрое и точное переключение.

В упаковке содержится 2 шт. транзисторов IRF640N, что позволяет использовать их в различных электронных проектах.

В целом, транзистор IRF640N от International Rectifier - это надежный и качественный компонент, который станет незаменимым помощником в создании и ремонте электронных устройств.