Основу транзисторов IRFZ44N составляет затвор, отделенный от канала тонким диэлектрическим слоем, благодаря чему данные транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением. Основным свойством полевых (MOSFET) транзисторов является управление напряжением (в отличии от биполярных, которые управляются током).
Технические характеристики
► Максимальное напряжение сток-исток Uси: 60 V
► Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси: 50 A
► Id - непрерывный ток утечки: 50 A;
► Pd - рассеивание мощности: 150 W;
► Qg - заряд затвора: 67 nC;
► Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 28 mOhms;
► Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 V;
► Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V;
► Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V;
► Вид монтажа: Through Hole;
► Время нарастания: 110 ns;
► Время спада: 92 ns;
► Высота: 15.49 mm;
► Длина: 10.41 mm;
► Канальный режим: Enhancement;
► Категория продукта: МОП-транзистор;
► Количество каналов: 1 Channel;
► Конфигурация: Single;
► Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 15 S;
► Максимальная рабочая температура: + 175 C;
► Минимальная рабочая температура: 55 C;
► Подкатегория: MOSFETs;
► Полярность транзистора: N-Channel.