Отзывы на Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design

Рейтинг:

A comprehensive and «state-of-the-art» coverage of the design and fabrication of IGBT. All-in-one resource Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics. Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.

Спасибо Ваш отзыв будет опубликован после проверки модераторами.

Форматы
PDF

Общий рейтинг 4.00
Рейтинг покупателей 4.07
Рейтинг экспертов 4.30
Качество материалов 4.07
Надежность 4.00
Простота в использовании 4.73
Ремонтопригодность 4.95
Эффективность выполнения своих функций 4.90
Коэффициент удивления "Вау!" 4.00
Безопасность для пользователя4.70
Внешний вид 4.53
Удобство в уходе и чистке 4.79
Экологическая безопасность 4.30
Гарантия на товар 4.77
Соответствие стандартам качества 4.03
Инновационные технологии 4.70
Хит продаж 4.00
Скорость морального устаревания 4.09
Энергоэффективность 4.93
Универсальность использования 4.09
Наличие дополнительных функций 4.70
Соотношение цена-качество 4.37
Практичность и удобство хранения 4.00
Стабильность работы в различных условиях 4.07
Возможность персонализации 4.09
Ликвидность 4.90
Индекс рекомендаций 4.77

3007 покупателей и эксперты портала 1ya.ru рекомендуют к покупке товар «Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design».

Отзывы на "Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design"