Introduction to Magnetic Random-Access Memory

...Нажми для увеличения фото
14 157 ₽Скидка: 13%

12 295 ₽

Товар в наличии
  Узнать о снижении стоимости
Отправим письмо при снижении стоимости.

Рекомендательный сервис

  • Общий рейтинг 4.79
  • Рейтинг покупателей 4.97
  • Рейтинг экспертов 4.77
  • Качество материалов 4.96
  • Надежность 4.77
  • Простота в использовании 4.67
  • Ремонтопригодность 4.79
  • Эффективность выполнения своих функций 4.79
  • Коэффициент удивления "Вау!" 4.79
  • Безопасность для пользователя4.77
  • Внешний вид 4.97
  • Удобство в уходе и чистке 4.67
  • Экологическая безопасность 4.70
  • Гарантия на товар 4.66
  • Соответствие стандартам качества 4.77
  • Инновационные технологии 4.60
  • Хит продаж 4.79
  • Скорость морального устаревания 4.97
  • Энергоэффективность 4.77
  • Универсальность использования 4.99
  • Наличие дополнительных функций 4.60
  • Соотношение цена-качество 4.76
  • Практичность и удобство хранения 4.97
  • Стабильность работы в различных условиях 4.07
  • Возможность персонализации 4.09
  • Ликвидность 4.77
  • Индекс рекомендаций 4.66
2831 покупателей и эксперты портала 1ya.ru рекомендуют к покупке товар «Introduction to Magnetic Random-Access Memory» или его аналог из списка ниже.
Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed, radiation hardness, and durability. Although toggle-MRAM is currently a commercial product, it is clear that future developments in MRAM will be based on spin-transfer torque, which makes use of electrons’ spin angular momentum instead of their charge. MRAM will require an amalgamation of magnetics and microelectronics technologies. However, researchers and developers in magnetics and in microelectronics attend different technical conferences, publish in different journals, use different tools, and have different backgrounds in condensed-matter physics, electrical engineering, and materials science. This book is an introduction to MRAM for microelectronics engineers written by specialists in magnetic materials and devices. It presents the basic phenomena involved in MRAM, the materials and film stacks being used, the basic principles of the various types of MRAM (toggle and spin-transfer torque; magnetized in-plane or perpendicular-to-plane), the back-end magnetic technology, and recent developments toward logic-in-memory architectures. It helps bridge the cultural gap between the microelectronics and magnetics communities.
Информация о характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и взятая из открытых источников или размещена продавцом. Цена указана на дату: 09.05.2025 г. На текущий момент стоимость может отличаться. Предложение не является публичной офертой.
Introduction to Magnetic Random-Access Memory продается в интернет-магазине ЛитРес
Эксперт: Юрий Л., специалист по онлайн-шопингу
Дата рецензии: 10 июля 2025 года
Рекомендация к покупке положительная

Доставка покупки

    • В электронном виде;
    • Читать онлайн;
    • Скачать на компьютер или мобильные устройства.

Оплата заказа

    • Банковской картой;
    • электронными деньгами Яндекс-Деньги; WebMoney, Qiwi Кошелек, PayPal;
    • Наличными через терминалы;
    • Банковским переводом.
  • Наименование: ООО «ЛитРес»
  • ИНН: 7719571260

Рекомендуем аналогичные товары

Дополнительно из категории