Отзывы на "Silicon Non-Volatile Memories"

...
  • Рейтинг:
This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed. Different “evolutionary paths” based on new materials and new transistor structures are investigated to extend classical floating gate technology to the 32 nm node. “Disruptive paths” are also covered, addressing 22 nm and smaller IC generations. Finally, the main factors at the origin of these phenomena are identified and analyzed, providing pointers on future research activities and developments in this area.
Спасибо Ваш отзыв будет опубликован после проверки модераторами.
Написать отзыв
  • Общий рейтинг 4.00
  • Рейтинг покупателей 4.08
  • Рейтинг экспертов 4.40
  • Качество материалов 4.00
  • Надежность 4.00
  • Простота в использовании 4.04
  • Ремонтопригодность 4.28
  • Эффективность выполнения своих функций 4.20
  • Коэффициент удивления "Вау!" 4.00
  • Безопасность для пользователя4.80
  • Внешний вид 4.84
  • Удобство в уходе и чистке 4.02
  • Экологическая безопасность 4.40
  • Гарантия на товар 4.00
  • Соответствие стандартам качества 4.04
  • Инновационные технологии 4.00
  • Хит продаж 4.00
  • Скорость морального устаревания 4.02
  • Энергоэффективность 4.24
  • Универсальность использования 4.09
  • Наличие дополнительных функций 4.00
  • Соотношение цена-качество 4.40
  • Практичность и удобство хранения 4.00
  • Стабильность работы в различных условиях 4.08
  • Возможность персонализации 4.09
  • Ликвидность 4.20
  • Индекс рекомендаций 4.00
2315 покупателей и эксперты портала 1ya.ru рекомендуют к покупке товар «Silicon Non-Volatile Memories».