Tunnel Field-effect Transistors (TFET)

...Нажми для увеличения фото
11 305 ₽Скидка: 13%

9 818 ₽

Товар в наличии
  Узнать о снижении стоимости
Отправим письмо при снижении стоимости.

Рекомендательный сервис

  • Общий рейтинг 4.79
  • Рейтинг покупателей 4.97
  • Рейтинг экспертов 4.77
  • Качество материалов 4.97
  • Надежность 4.77
  • Простота в использовании 4.77
  • Ремонтопригодность 4.00
  • Эффективность выполнения своих функций 4.09
  • Коэффициент удивления "Вау!" 4.79
  • Безопасность для пользователя4.77
  • Внешний вид 4.07
  • Удобство в уходе и чистке 4.70
  • Экологическая безопасность 4.70
  • Гарантия на товар 4.77
  • Соответствие стандартам качества 4.77
  • Инновационные технологии 4.70
  • Хит продаж 4.79
  • Скорость морального устаревания 4.90
  • Энергоэффективность 4.07
  • Универсальность использования 4.99
  • Наличие дополнительных функций 4.70
  • Соотношение цена-качество 4.77
  • Практичность и удобство хранения 4.97
  • Стабильность работы в различных условиях 4.07
  • Возможность персонализации 4.09
  • Ликвидность 4.07
  • Индекс рекомендаций 4.77
2045 покупателей и эксперты портала 1ya.ru рекомендуют к покупке товар «Tunnel Field-effect Transistors (TFET)» или его аналог из списка ниже.
Research into Tunneling Field Effect Transistors (TFETs) has developed significantly in recent times, indicating their significance in low power integrated circuits. This book describes the qualitative and quantitative fundamental concepts of TFET functioning, the essential components of the problem of modelling the TFET, and outlines the most commonly used mathematical approaches for the same in a lucid language. Divided into eight chapters, the topics covered include: Quantum Mechanics, Basics of Tunneling, The Tunnel FET, Drain current modelling of Tunnel FET: The task and its challenges, Modeling the Surface Potential in TFETs, Modelling the Drain Current, and Device simulation using Technology Computer Aided Design (TCAD). The information is well organized, describing different phenomena in the TFETs using simple and logical explanations. Key features: * Enables readers to understand the basic concepts of TFET functioning and modelling in order to read, understand, and critically analyse current research on the topic with ease. * Includes state-of-the-art work on TFETs, attempting to cover all the recent research articles published on the subject. * Discusses the basic physics behind tunneling, as well as the device physics of the TFETs. * Provides detailed discussion on device simulations along with device physics so as to enable researchers to carry forward their study on TFETs. Primarily targeted at new and practicing researchers and post graduate students, the book would particularly be useful for researchers who are working in the area of compact and analytical modelling of semiconductor devices.
Информация о характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и взятая из открытых источников или размещена продавцом. Цена указана на дату: 09.05.2025 г. На текущий момент стоимость может отличаться. Предложение не является публичной офертой.
Tunnel Field-effect Transistors (TFET) продается в интернет-магазине ЛитРес
Эксперт: Ростислав Т., специалист по потребительским товарам
Дата рецензии: 8 июля 2025 года
Рекомендация к покупке положительная

Доставка покупки

    • В электронном виде;
    • Читать онлайн;
    • Скачать на компьютер или мобильные устройства.

Оплата заказа

    • Банковской картой;
    • электронными деньгами Яндекс-Деньги; WebMoney, Qiwi Кошелек, PayPal;
    • Наличными через терминалы;
    • Банковским переводом.
  • Наименование: ООО «ЛитРес»
  • ИНН: 7719571260

Рекомендуем аналогичные товары

Дополнительно из категории