Новые полупроводниковые приборы от Российского разработчика корпорации «лэфи». Транзисторы VL035DN созданы по технологии SIRET ( Siemens Ringo-Emitter Transistors). Эту технологию отличает расширенная ОБР, fT=50МГц, tсп тип=50-80нс при H21E=15-30 в линейном режиме, а также имеют собственные достоинства, присущие только SIRET-технологии:
более линейная зависимость коэффициента усиления по току при Ik max (более высокий H21E при токах близких к Ik max), надёжная работа на индуктивную нагрузку в линейных и ключевых схемах до 100кГц, лучшее использование площади кремниевой структуры, возможность объединять транзисторы или чипы в сборки (микросборки) без дополнительных выравнивающих резисторов (базовых и эмиттерных) и без какого-либо подбора по коэффициенту усиления по току.
В транзисторах по SIRET-технологии полностью исключён эффект шнурования тока, это способствует резкому повышению стойкости к энергии вторичного пробоя(обратный вторичный пробой). До предельно минимальной величины сведён эффект оттеснения эмиттерного тока, это значительно повышает стойкость к прямому вторичному пробою, и, одновременно с узкими эмиттерами, существенно снижает время рассасывания накопленного заряда, улучшая, тем самым, переключательные характеристики транзисторов.
Каждый элементарный эмиттер подключается к общей шине через отдельный резистор (минимизируется неравномерность распределения тока по кристаллу), что также, в свою очередь, расширяет область безопасной работы и позволяет делать сборки на любые уровни токов без дополнительных компонентов.
Все вышеперечисленные достоинства, делают SIRET-транзисторы универсальными и способными работать в линейных схемах на частотах до 30МГц и в ключевых до 100кГц на любую реактивную нагрузку.
Наиболее полно преимущества SIRET-транзисторов реализуются при коммутации напряжений в диапазоне 200-400В (транзисторы с параметрами Uкео гр =300-500В, UкэR =600-1000В), здесь полностью используется частотный диапазон, а увеличение Ucesat на 50-150мВ — ничтожно малый вклад в потери.
