Фрустрированные магнитные наноструктуры

Фрустрированные магнитные наноструктуры

Рекомендательный сервис

  • Общий рейтинг 4.06
  • Рейтинг покупателей 3.61
  • Рейтинг экспертов 4.50
  • Качество материалов 4.69
  • Надежность 4.00
  • Простота в использовании 4.95
  • Ремонтопригодность 4.30
  • Эффективность выполнения своих функций 4.36
  • Коэффициент удивления "Вау!" 4.06
  • Безопасность для пользователя4.10
  • Внешний вид 4.05
  • Удобство в уходе и чистке 4.93
  • Экологическая безопасность 4.52
  • Гарантия на товар 4.99
  • Соответствие стандартам качества 4.05
  • Инновационные технологии 4.90
  • Хит продаж 4.06
  • Скорость морального устаревания 4.63
  • Энергоэффективность 4.35
  • Универсальность использования 4.60
  • Наличие дополнительных функций 4.92
  • Соотношение цена-качество 3.59
  • Практичность и удобство хранения 4.60
  • Стабильность работы в различных условиях 4.21
  • Возможность персонализации 4.00
  • Ликвидность 4.30
  • Индекс рекомендаций 3.99
В предлагаемой читателю книге рассмотрены многослойные магнитные наноструктуры, нашедшие широкое применение в считывающих головках жестких дисков и лежащие в основе перспективной магниторезистивной памяти. Показано, что в многослойной системе ферромагнетик-антиферромагнетик поведение магнитных параметров порядка в слоях нанометровой толщины во многом определяется фрустрациями, возникающими на границах раздела слоев. Предсказаны новые типы доменных стенок, порождаемых фрустрациями обменного взаимодействия. Ширина этих стенок определяется конкуренцией обменных взаимодействий внутри слоев и между слоями и оказывается много меньше ширины традиционных доменных стенок. Построены фазовые диаграммы "толщина слоя (слоев)-шероховатость" тонкой пленки ферромагнетика на антиферромагнитной подложке и спин-вентильной системы ферромагнетик-антиферромагнетик-ферромагнетик с учетом энергии одноионной анизотропии. Обнаружено, что благоприятным для появления обменного сдвига в системе ферромагнетик-антиферромагнетик является наличие взаимно перпендикулярных легких осей, лежащих в плоскости слоев. Кроме этого, либо должно существовать связанное состояние доменной стенки на границе раздела, либо должен иметь место пиннинг доменной стенки дефектами кристаллической решетки в антиферромагнетике вблизи границы с ферромагнетиком, кристаллической решетки в антиферромагнетике вблизи границы с ферромагнетиком. .Для научных работников и специалистов в области магнитоэлектроники и магнитных наноструктур.
Информация о характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и взятая из открытых источников.
Фрустрированные магнитные наноструктуры продается в интернет-магазине Буквоед
Эксперт: Святослав В., товарный критик
Дата рецензии: 12 ноября 2025 года
Рекомендация к покупке нейтральная

Отзывы о товаре

Спасибо Ваш отзыв будет опубликован после проверки модераторами.
Добавить отзыв

Доставка покупки

    • Курьерской службой;
    • Самовывоз из магазинов;
    • Самовывоз из постаматов или пунктов выдачи.

Оплата заказа

    • Наличными или картой при самовывозе;
    • Банковской картой на сайте;
    • Банковским переводом для физических и юридических лиц.
  • Наименование: ООО «Новый Книжный Центр»
  • ИНН: 7710422909

Предложения других продавцов

Часто задаваемые вопросы

Оплатить покупку возможно банковскими картами, банковским переводом, наличными при получении. Перечень всех способов оплаты доступен при оформлении заказа.
Да, в соответствии с законом «О защите прав потребителей» вы можете вернуть товар надлежащего качества в течение 14 дней с момента покупки, если он не был в употреблении, сохранены упаковка, ярлыки и товарный вид, и при этом не входит в перечень товаров, не подлежащих возврату или обмену (утверждённый Постановлением Правительства РФ №55).
На большинство товаров предоставляется гарантия от производителя. Срок гарантии указан в описании товара.

Рекомендуем аналогичные товары

Дополнительно из категории