Physics and Technology of Crystalline Oxide Semiconductor CAAC-IGZO

...Нажми для увеличения фото
12 196 ₽Скидка: 13%

10 592 ₽

Товар в наличии
  Узнать о снижении стоимости
Отправим письмо при снижении стоимости.

Рекомендательный сервис

  • Общий рейтинг 4.79
  • Рейтинг покупателей 4.97
  • Рейтинг экспертов 4.77
  • Качество материалов 4.94
  • Надежность 4.77
  • Простота в использовании 4.47
  • Ремонтопригодность 4.37
  • Эффективность выполнения своих функций 4.39
  • Коэффициент удивления "Вау!" 4.79
  • Безопасность для пользователя4.77
  • Внешний вид 4.77
  • Удобство в уходе и чистке 4.43
  • Экологическая безопасность 4.70
  • Гарантия на товар 4.44
  • Соответствие стандартам качества 4.77
  • Инновационные технологии 4.40
  • Хит продаж 4.79
  • Скорость морального устаревания 4.93
  • Энергоэффективность 4.37
  • Универсальность использования 4.99
  • Наличие дополнительных функций 4.40
  • Соотношение цена-качество 4.74
  • Практичность и удобство хранения 4.97
  • Стабильность работы в различных условиях 4.07
  • Возможность персонализации 4.09
  • Ликвидность 4.37
  • Индекс рекомендаций 4.44
2412 покупателей и эксперты портала 1ya.ru рекомендуют к покупке товар «Physics and Technology of Crystalline Oxide Semiconductor CAAC-IGZO» или его аналог из списка ниже.
This book describes the application of c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) technology in large-scale integration (LSI) circuits. The applications include Non-volatile Oxide Semiconductor Random Access Memory (NOSRAM), Dynamic Oxide Semiconductor Random Access Memory (DOSRAM), central processing unit (CPU), field-programmable gate array (FPGA), image sensors, and etc. The book also covers the device physics (e.g., off-state characteristics) of the CAAC-IGZO field effect transistors (FETs) and process technology for a hybrid structure of CAAC-IGZO and Si FETs. It explains an extremely low off-state current technology utilized in the LSI circuits, demonstrating reduced power consumption in LSI prototypes fabricated by the hybrid process. A further two books in the series will describe the fundamentals; and the specific application of CAAC-IGZO to LCD and OLED displays. Key features: • Outlines the physics and characteristics of CAAC-IGZO FETs that contribute to favorable operations of LSI devices. • Explains the application of CAAC-IGZO to LSI devices, highlighting attributes including low off-state current, low power consumption, and excellent charge retention. • Describes the NOSRAM, DOSRAM, CPU, FPGA, image sensors, and etc., referring to prototype chips fabricated by a hybrid process of CAAC-IGZO and Si FETs.
Информация о характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и взятая из открытых источников или размещена продавцом. Цена указана на дату: 09.05.2025 г. На текущий момент стоимость может отличаться. Предложение не является публичной офертой.
Physics and Technology of Crystalline Oxide Semiconductor CAAC-IGZO продается в интернет-магазине ЛитРес
Эксперт: Сергей К., специалист по e-commerce
Дата рецензии: 13 июля 2025 года
Рекомендация к покупке положительная

Доставка покупки

    • В электронном виде;
    • Читать онлайн;
    • Скачать на компьютер или мобильные устройства.

Оплата заказа

    • Банковской картой;
    • электронными деньгами Яндекс-Деньги; WebMoney, Qiwi Кошелек, PayPal;
    • Наличными через терминалы;
    • Банковским переводом.
  • Наименование: ООО «ЛитРес»
  • ИНН: 7719571260

Рекомендуем аналогичные товары

Дополнительно из категории