Silicon Carbide, Volume 2

...Нажми для увеличения фото
21 580 ₽Скидка: 13%

18 742 ₽

Товар в наличии
  Узнать о снижении стоимости
Отправим письмо при снижении стоимости.

Рекомендательный сервис

  • Общий рейтинг 4.79
  • Рейтинг покупателей 4.97
  • Рейтинг экспертов 4.77
  • Качество материалов 4.90
  • Надежность 4.77
  • Простота в использовании 4.07
  • Ремонтопригодность 4.40
  • Эффективность выполнения своих функций 4.49
  • Коэффициент удивления "Вау!" 4.79
  • Безопасность для пользователя4.77
  • Внешний вид 4.07
  • Удобство в уходе и чистке 4.04
  • Экологическая безопасность 4.70
  • Гарантия на товар 4.00
  • Соответствие стандартам качества 4.77
  • Инновационные технологии 4.00
  • Хит продаж 4.79
  • Скорость морального устаревания 4.94
  • Энергоэффективность 4.47
  • Универсальность использования 4.99
  • Наличие дополнительных функций 4.00
  • Соотношение цена-качество 4.70
  • Практичность и удобство хранения 4.97
  • Стабильность работы в различных условиях 4.07
  • Возможность персонализации 4.09
  • Ликвидность 4.47
  • Индекс рекомендаций 4.00
2445 покупателей и эксперты портала 1ya.ru рекомендуют к покупке товар «Silicon Carbide, Volume 2» или его аналог из списка ниже.
Silicon Carbide – this easy to manufacture compound of silicon and carbon is said to be THE emerging material for applications in electronics. High thermal conductivity, high electric field breakdown strength and high maximum current density make it most promising for high-powered semiconductor devices. Apart from applications in power electronics, sensors, and NEMS, SiC has recently gained new interest as a substrate material for the manufacture of controlled graphene. SiC and graphene research is oriented towards end markets and has high impact on areas of rapidly growing interest like electric vehicles. This volume is devoted to high power devices products and their challenges in industrial application. Readers will benefit from reports on development and reliability aspects of Schottky barrier diodes, advantages of SiC power MOSFETs, or SiC sensors. The authors discuss MEMS and NEMS as SiC-based electronics for automotive industry as well as SiC-based circuit elements for high temperature applications, and the application of transistors in PV-inverters. The list of contributors reads like a «Who's Who» of the SiC community, strongly benefiting from collaborations between research institutions and enterprises active in SiC crystal growth and device development. Among the former are CREE Inc. and Fraunhofer ISE, while the industry is represented by Toshiba, Nissan, Infineon, NASA, Naval Research Lab, and Rensselaer Polytechnic Institute, to name but a few.
Информация о характеристиках, комплекте поставки, стране изготовления, внешнем виде и цвете товара носит справочный характер и взятая из открытых источников или размещена продавцом. Цена указана на дату: 09.05.2025 г. На текущий момент стоимость может отличаться. Предложение не является публичной офертой.
Silicon Carbide, Volume 2 продается в интернет-магазине ЛитРес
Эксперт: Ринат К., ассистент по интернет-покупкам
Дата рецензии: 6 июля 2025 года
Рекомендация к покупке положительная

Кредитный калькулятор

Планируете купить "Silicon Carbide, Volume 2" в кредит? Расширенный кредитный калькулятор поможет онлайн рассчитать ежемесячный платеж, начисленные проценты и сумму переплаты по потребительскому кредиту.

Доставка покупки

    • В электронном виде;
    • Читать онлайн;
    • Скачать на компьютер или мобильные устройства.

Оплата заказа

    • Банковской картой;
    • электронными деньгами Яндекс-Деньги; WebMoney, Qiwi Кошелек, PayPal;
    • Наличными через терминалы;
    • Банковским переводом.
  • Наименование: ООО «ЛитРес»
  • ИНН: 7719571260

Рекомендуем аналогичные товары

Дополнительно из категории